MAX 10
Производимые по технологии TSMC 55 нм, микросхемы линейки MAX 10, обладая компактными размерами сочетают в себе полную функциональность современных СБИС ПЛ с простотой использования, отличаясь при этом более с низкой стоимостью. MAX 10 имеют обладают высокой степенью интеграции, позволяя существенно сократить количество необходимых компонентов в системе, при этом повышая ее надежность.
К основным отличиям линейки MAX 10 можно отнести следующие характеристики:
- От 2000 до 50000 эквивалентных логических элементов (LEs)
- Блоки пользовательской и конфигурируемой Flash-памяти
- Аналоговый блок
- Встроенные умножители
- Блоки статической памяти
- Интерфейс внешней памяти: SRAM, DDR2, DDR3, LPDDR2
- Реализация синтезируемого процессора Nios® II
- До 500 пользовательских выводов
- Встроенный преобразователь напряжения
СБИС ПЛ MAX 10 оснащены встроенным линейным регулятором напряжения (LDO), который формирует необходимый уровень для питания ядра и блоков ввода/вывода из получаемого входного напряжения 3 В/3,3 В. При этом существует отдельная линейка микросхем MAX 10 не обладающая встроенным регулятором напряжения, в таком случае появляется необходимость подачи отдельного напряжения питания ядра 1,2 В)и напряжения питания PLL/АЦП/блоков ввода-вывода 2,5 В.
Безусловно использование MAX 10 FPGA со встроенным регулятором напряжения значительно упрощает проектирование схем и печатных плат, уменьшая количество необходимых компонентов в системе и тем самым сокращая расходы на производство, но при этом данная конфигурация обладает и рядом недостатков: повышенное энергопотребление микросхемы, понижение максимальной частоты работы ядра и блоков ввода-вывода, ухудшение характеристик встроенных аналоговых блоков.
В таблице 1 приведены основные характеристики семейства СБИС ПЛ MAX 10
таблица 1
| Количество логических элементов | Объем встроенного ОЗУ(Кбит) | Объем пользовательской FLASH-памяти (Кбит) | Количество умножителей 18x18 | Количество блоков PLL | Поддержка файлов конфигурации | Количество блоков АЦП, датчиков температуры | Интерфейс с внешней памятью | |
| 10M02 | 2000 | 108 | 96 | 16 | 1, 2 | 1 | SRAM, SDRAM | |
| 10M04 | 4000 | 189 | 128 | 19 | 1, 2 | 2 | 1, 1 | SRAM, SDRAM |
| 10M08 | 8000 | 378 | 256 | 24 | 1, 2 | 2 | 1, 1 | SRAM, SDRAM |
| 10M16 | 16000 | 549 | 256 | 45 | 1, 4 | 2 | 1, 1 | SRAM, SDRAM |
| 10M25 | 25000 | 756 | 256 | 61 | 1, 4 | 2 | 2, 1 | SRAM, SDRAM |
| 10M40 | 40000 | 1260 | 512 | 125 | 1, 4 | 2 | 2, 1 | SRAM, SDRAM |
| 10M50 | 50000 | 1638 | 512 | 144 | 1, 4 | 2 | 2, 1 | SRAM, SDRAM |
В таблице 2 представлены типы корпусов и количество линий ввода-вывода СБИС ПЛ MAX 10
таблица 2.1
варианты корпусов для СБИС ПЛ MAX 10 без встроенного регулятора напряжения (Dual Supply)
| Тип корпуса | WLCSP (V) | UBGA (U) | FBGA (F) | |||
| Количество выводов | 36 | 81 | 324 | 256 | 484 | 672 |
| Габариты корпуса (мм) | 3 x 3 | 4 x 4 | 15 x 15 | 17 x 17 | 23 x 23 | 27 x 27 |
| Межвыводной шаг (мм) | 0.4 | 0.4 | 0.8 | 1.0 | 1.0 | 1.0 |
| 10M02 “D” | C 27 |
C 160 |
||||
| 10M04 “D” | C/A 246 |
C/A 178 |
||||
| 10M08 “D” | C/F 56 |
C/A 246 |
C/A 178 |
C/A 250 |
||
| 10M16 “D” | C/A 246 |
C/A 178 |
C/A 320 |
|||
| 10M25 “D” | C/A 178 |
C/A 360 |
C/A 380 |
|||
| 10M40 “D” | C/A 178 |
C/A 360 |
C/A 500 |
|||
| 10M50 “D” | C/A 178 |
C/A 360 |
C/A 500 |
|||
таблица 2.2
варианты корпусов для СБИС ПЛ MAX 10 с встроенным регулятором напряжения (Single Supply)
| Тип корпуса | EQFP (E) | MBGA (M) | UBGA (U) |
| Количество выводов | 144 | 153 | 169 |
| Габариты корпуса (мм) | 22 x 22 | 8 x 8 | 11 x 11 |
| Межвыводной шаг (мм) | 0.5 | 0.5 | 0.8 |
| 10M02 “S” | C 101 |
C 112 |
C 130 |
| 10M04 “S” | C/A 101 |
C/A 112 |
C/A 130 |
| 10M08 “S” | C/A 101 |
C/A 112 |
C/A 130 |
| 10M16 “S” | C/A 101 |
C/A 130 |
|
| 10M25 “S” | C/A 101 |
||
| 10M40 “S” | C/A 101 |
||
| 10M50 “S” | C/A 101 |