Vital Electronics - Новинка от Infineon Technologies

Новинка от Infineon Technologies - OptiMOS™ 300 V

транзисторы OptiMOS™ 300 V

Компания Infineon Technologies объявила о расширении линейки своих высоковольтных MOSFET, новыми транзисторами OptiMOS™ 300 V, устанавливающими новый стандарт силовых транзисторов на рынке.

Тем самым, компания Infineon Technologies подтверждает свои позиции в качестве лидера рынка энергоэффективных решений в таких областях, как телекоммуникационные системы, источники бесперебойного питания (ИБП), управление двигателем, промышленные электростанций и инверторы постоянного/переменного тока.

Новые OptiMOS™ 300 V помогают разработчикам таких систем повышать общую мощность при снижении проблем с высоким уровнем надежности. В конечном счете, для конечного пользователя, это приводит к экономии энергии. Например, в применениях достаточно «жестких» переключений, таких как AC/DC преобразователи, новые MOSFET транзисторы OptiMOS™ 300 V сокращают потери энергии на 50 процентов.

Это позволяет осуществлять переключения на более высоких частотах и, следовательно, уменьшает количество пассивных компонентов и размеры печатных плат. Кроме того, OptiMOS™ 300 V может обеспечить большую надежность, безопасность и простоту конструкции в 60 В телекоммуникационных выпрямителях. А так же, снизить количество каскадов в высоковольтных импульсных источниках питания. Отдельно подчеркивается, что с помощью OptiMOS™ 300 V теперь можно реализовать 110 В ИБП переменного тока.

Использование технологий быстрого диода в OptiMOS™ 300 V, позволяет получить обратный заряд восстановления (Qrr – reverse recovery charge) транзисторов на 70% ниже, чем в альтернативных моделях конкурентов. А использование корпуса TO-220 обеспечивает лучшие в отрасли сопротивление (R DS(on) = 41 мОм) с более чем 58% улучшения показателей качества (FOM: R DS(on) x Q g) по сравнению с другими доступными продуктами. Все это приводит к низки потерям и повышению общей эффективности в таких приложениях, как управление двигателями.

OptiMOS™ 300 V производятся в корпусах D²PAK (R DS(on) = 40,7 мОм) и TO-220 (R DS(on) = 41 мОм).

В новую линейку силовых транзисторов вошли следующие модели: