NAND01GW3B2BN6E | |
 | заказать запросить условия поставкиКатегория: Флэш-память Производитель: STMicroelectronics Описание: Флэш-память NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:  |
Параметры NAND01GW3B2BN6E: |
| Тип памяти | Flash Drive | | Размер памяти | 1 Gbit | | Архитектура | Sectored | | Напряжение питания - макс. | 3.6 V | | Напряжение питания - мин. | 2.7 V | | Максимальный рабочий ток | 30 mA | | Рабочая температура | + 85 C | | Вид монтажа | SMD/SMT | | Корпус | TSOP-48 | | Упаковка | Tray | | Ширина шины данных | 8 bit | | Время доступа | 50 ns | | Организация | 128 KB x 1024 | | Размер фабричной упаковки | 96 |
|