Санкт-Петербург
+7(812) 325-97-92
| Наименование | Изображение | Описание | Документация | Производитель | RoHS | Организация | Напряжение питания - макс. | Напряжение питания - мин. | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Корпус | Упаковка | Вид монтажа | Рабочее напряжение питания |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SST32HF162-70-4C-LBK | Комбинированная память 16M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | 128 K x 16 | 70 C | 0 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF162-70-4C-LBKE | Комбинированная память 16M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 1 M x 16 Flash, 128 K x 16 SRAM | 3.6 V | 2.7 V | + 70 C | 0 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 3.3 V | ||
SST32HF162-70-4E-LBK | Комбинированная память 16M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | 128 K x 16 | 85 C | - 20 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF162-70-4E-LBKE | Комбинированная память 16M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 1 M x 16 Flash, 128 K x 16 SRAM | 3.6 V | 2.7 V | + 85 C | - 20 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 3.3 V | ||
SST32HF164-70-4C-LBK | Комбинированная память 16M FLASH 4M SRAM | Microchip Technology | 256 K x 16 | 70 C | 0 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF164-70-4C-LBKE | Комбинированная память 16M FLASH 4M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 1 M x 16 Flash, 256 K x 16 SRAM | 3.6 V | 2.7 V | + 70 C | 0 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 3.3 V | ||
SST32HF164-70-4E-LBK | Комбинированная память 16M FLASH 4M SRAM | Microchip Technology | 256 K x 16 | 85 C | - 20 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF164-70-4E-LBKE | Комбинированная память 16M FLASH 4M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 1 M x 16 Flash, 256 K x 16 SRAM | 3.6 V | 2.7 V | + 85 C | - 20 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 3.3 V | ||
SST32HF164-90-4C-LBK | Комбинированная память 16M FLASH 4M SRAM | Microchip Technology | 256 K x 16 | 70 C | 0 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF164-90-4C-LBKE | Комбинированная память 16M FLASH 4M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 256 K x 16 | 70 C | 0 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | ||||
SST32HF164-90-4E-LBK | Комбинированная память 16M FLASH 4M SRAM | Microchip Technology | 256 K x 16 | 85 C | - 20 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF164-90-4E-LBKE | Комбинированная память 16M FLASH 4M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 256 K x 16 | 85 C | - 20 C | LBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | ||||
SST32HF202-70-4C-L3K | Комбинированная память 2M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | 128 K x 16 | + 70 C | 0 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF202-70-4C-L3KE | Комбинированная память 2M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 128 K x 16 Flash, 128 K x 16 SRAM | 3.3 V | 2.7 V | + 70 C | 0 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | ||
SST32HF202-70-4E-L3K | Комбинированная память 2M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | 128 K x 16 | + 85 C | - 20 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF202-70-4E-L3KE | Комбинированная память 2M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 128 K x 16 Flash, 128 K x 16 SRAM | 3.3 V | 2.7 V | + 85 C | - 20 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | ||
SST32HF202-90-4C-L3K | Комбинированная память 2M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | 128 K x 16 | + 70 C | 0 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF202-90-4C-L3KE | Комбинированная память 2M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 128 K x 16 Flash, 128 K x 16 SRAM | 3.3 V | 2.7 V | + 70 C | 0 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | ||
SST32HF202-90-4E-L3K | Комбинированная память 2M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | 128 K x 16 | + 85 C | - 20 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF202-90-4E-L3KE | Комбинированная память 2M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 128 K x 16 Flash, 128 K x 16 SRAM | 3.3 V | 2.7 V | + 85 C | - 20 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | ||
SST32HF402-70-4C-L3K | Комбинированная память 4M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | 256 K x 16 | + 70 C | 0 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF402-70-4C-L3KE | Комбинированная память 4M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 256 K x 16 Flash, 128 K x 16 SRAM | 3.3 V | 2.7 V | + 70 C | 0 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | ||
SST32HF402-70-4E-L3K | Комбинированная память 4M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | 256 K x 16 | + 85 C | - 20 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | |||||
SST32HF402-70-4E-L3KE | Комбинированная память 4M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | ![]() | 256 K x 16 Flash, 128 K x 16 SRAM | 3.3 V | 2.7 V | + 85 C | - 20 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V | ||
SST32HF402-90-4C-L3K | Комбинированная память 4M FLASH 2M SRAM | Microchip Technology | 256 K x 16 | + 70 C | 0 C | LFBGA-48 | Tray | SMD/SMT | 2.7 V to 3.3 V |
Страница 1 из 2