H11F1TVM

Описание: Транзисторные выходные оптопары FET Bilateral analog

Документация: datasheet

RoHS:

Тип входа	DC
Напряжение изоляции	5300 Vrms
Максимальное прямое напряжение диода	1.75 V
Максимальное рассеяние мощности	300 mW
Максимальная рабочая температура	+ 100 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Корпус	PDIP-6
Упаковка	Bulk
Максимальный входной ток диода	60 mA
Максимальное обратное напряжение диода	5 V
Количество каналов на чип	1
Устройство вывода	Phototransistor
Тип выхода	DC
Размер фабричной упаковки	1000