H11AG1M

Описание: Транзисторные выходные оптопары PHOTOTRANSISTOR

Документация: datasheet

RoHS:

Тип входа	DC
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер	30 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Напряжение изоляции	5300 Vrms
Максимальное прямое напряжение диода	1.5 V
Максимальный коллекторный ток	50 mA
Максимальное рассеяние мощности	260 mW
Максимальная рабочая температура	+ 100 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Корпус	PDIP-6
Упаковка	Bulk
Максимальный входной ток диода	50 mA
Максимальное обратное напряжение диода	6 V
Количество каналов на чип	1
Устройство вывода	Phototransistor
Тип выхода	DC
Размер фабричной упаковки	1000