| Тип входа | DC |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 30 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение изоляции | 5300 Vrms |
| Максимальное прямое напряжение диода | 1.7 V |
| Максимальный коллекторный ток | 100 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 150 mW |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Корпус | PDIP-4 |
| Максимальный входной ток диода | 60 mA |
| Максимальное обратное напряжение диода | 4 V |
| Количество каналов на чип | 1 |
| Устройство вывода | Phototransistor |
| Тип выхода | DC |