FOD3180V

Описание: Быстродействующие оптопары 2A Out Cur Hi Spd IGBT MOSFET OPTO

Документация: datasheet

RoHS:

Максимальное прямое напряжение диода	1.8 V
Максимальное обратное напряжение диода	5 V
Максимальное рассеяние мощности	295 mW
Максимальная рабочая температура	+ 100 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Корпус	PDIP-8
Упаковка	Bulk
Напряжение изоляции	5000 Vrms
Максимальная длительность спада импульса	55 ns
Максимальное время нарастания	75 ns
Минимальное прямое напряжение диода	1.2 V
Количество каналов на чип	1
Устройство вывода	Phototransistor
Размер фабричной упаковки	1000
Максимальный входной ток диода	25 mA
Тип входа	DC