Витал Электроникс

поставки электронных компонентов широкой номенклатуры,
системы RFID, IT услуги

Санкт-Петербург

+7(812) 325-97-92

Каталог / Интегральные схемы / ИС для усилителей / Транскондуктивные усилители
НаименованиеИзображениеОписаниеДокументацияПроизводительRoHSКоличество каналовКорпусВходное напряжение смещенияНапряжение питания - макс.Максимальная рабочая температураМинимальная рабочая температураУпаковкаВид монтажаРазмер фабричной упаковкиТипПолоса пропусканияТок питанияКоэффициент подавления помех общего вида (мин.)Максимальное рассеяние мощности

NJM#13600M-TE1

Транскондуктивные усилители Dual NJR2DMP-165 mV36 V+ 85 C- 40 CReelSMD/SMT2000  2.6 mA80 dB700 mW

NJM#13600M-TE2

Транскондуктивные усилители Dual NJR2DMP-165 mV36 V+ 85 C- 40 CReelSMD/SMT2000  2.6 mA80 dB700 mW

NJM#13700BD

Транскондуктивные усилители Dual NJR DIP-16     Through Hole25     

NJM#13700M-TE1

Транскондуктивные усилители Dual NJR2DMP-164 mV36 V+ 85 C- 40 CReelSMD/SMT2000Amplifier 2.6 mA80 dB700 mW

NJM#13700M-TE2

Транскондуктивные усилители Dual NJR2DMP-164 mV36 V+ 85 C- 40 CReelSMD/SMT2000Amplifier 2.6 mA80 dB700 mW

NJM13600M-T1

 Транскондуктивные усилители DualdatasheetNJR               

NJM13600M-TE1

Транскондуктивные усилители DualdatasheetNJR2DMP-165 mV36 V+ 85 C- 40 CReelSMD/SMT2000Amplifier0.1 MHz2.6 mA80 dB700 mW

NJM13600M-TE2

Транскондуктивные усилители DualdatasheetNJR2DMP-165 mV36 V+ 85 C- 40 CReelSMD/SMT2000Amplifier0.1 MHz2.6 mA80 dB700 mW

NJM13700M-T1

 Транскондуктивные усилители DualdatasheetNJR               

NJM13700M-TE1

Транскондуктивные усилители DualdatasheetNJR2DMP-164 mV36 V+ 85 C- 40 CReelSMD/SMT2000Amplifier0.1 MHz2.6 mA80 dB700 mW

NJM13700M-TE2

Транскондуктивные усилители Dual NJR2DMP-164 mV36 V+ 85 C- 40 CReelSMD/SMT2000Amplifier0.1 MHz2.6 mA80 dB700 mW