Санкт-Петербург
+7(812) 325-97-92
| Наименование | Изображение | Описание | Документация | Производитель | RoHS | Количество каналов | Корпус | Входное напряжение смещения | Напряжение питания - макс. | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Упаковка | Вид монтажа | Размер фабричной упаковки | Полоса пропускания | Ток питания | Диапазон входного напряжения (макс.) | Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) | Максимальное рассеяние мощности |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AU5517DR2 | ![]() | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 125 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2500 | 2 MHz | 2.6 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | ||
AU5517DR2G | ![]() | Транскондуктивные усилители TWO CURRENT- CONTROLLED TR | datasheet | ON Semiconductor | ![]() | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 125 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2500 | 2 MHz | 2.6 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | |
NE5517AN | ![]() | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | 2 | PDIP-16 | 2 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | Through Hole | 25 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1500 mW | ||
NE5517ANG | ![]() | Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp | datasheet | ON Semiconductor | ![]() | 2 | PDIP-16 | 2 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | Through Hole | 25 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1500 mW | |
NE5517D | ![]() | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | ![]() | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | SMD/SMT | 48 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1125 mW | |
NE5517DG | ![]() | Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp | datasheet | ON Semiconductor | ![]() | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | SMD/SMT | 48 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1125 mW | |
NE5517DR2 | ![]() | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Reel | SMD/SMT | 2500 | 2 MHz | 2.6 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | ||
NE5517DR2G | ![]() | Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp | datasheet | ON Semiconductor | ![]() | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Reel | SMD/SMT | 2500 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1125 mW | |
NE5517N | ![]() | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | 2 | PDIP-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | Through Hole | 25 | 2 MHz | 2.6 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | ||
NE5517NG | ![]() | Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp | datasheet | ON Semiconductor | ![]() | 2 | PDIP-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | Through Hole | 25 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1500 mW |