Санкт-Петербург
+7(812) 325-97-92
Наименование | Изображение | Описание | Документация | Производитель | RoHS | Количество каналов | Корпус | Входное напряжение смещения | Напряжение питания - макс. | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Упаковка | Вид монтажа | Размер фабричной упаковки | Тип | Полоса пропускания | Ток питания | Диапазон входного напряжения (макс.) | Коэффициент подавления помех общего вида (мин.) | Максимальное рассеяние мощности |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AU5517DR2 | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 125 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2500 | 2 MHz | 2.6 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | ||||
AU5517DR2G | Транскондуктивные усилители TWO CURRENT- CONTROLLED TR | datasheet | ON Semiconductor | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 125 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2500 | 2 MHz | 2.6 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | ||||
HA1-5320-5 | Транскондуктивные усилители SMP&HLD 2MHZ 1US INTCAP 14CDIP COM | datasheet | Intersil | DIP-14 | + 75 C | 0 C | Tube | Through Hole | Amplifier | 2 MHz | ||||||||||
MAX1886EZK+T | Транскондуктивные усилители VCOM Drive Buffer | datasheet | Maxim Integrated Products | Reel | ||||||||||||||||
NE5517AN | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | 2 | PDIP-16 | 2 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | Through Hole | 25 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1500 mW | ||||
NE5517ANG | Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp | datasheet | ON Semiconductor | 2 | PDIP-16 | 2 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | Through Hole | 25 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1500 mW | ||||
NE5517D | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | SMD/SMT | 48 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1125 mW | ||||
NE5517DG | Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp | datasheet | ON Semiconductor | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | SMD/SMT | 48 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1125 mW | ||||
NE5517DR2 | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Reel | SMD/SMT | 2500 | 2 MHz | 2.6 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | ||||
NE5517DR2G | Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp | datasheet | ON Semiconductor | 2 | SOIC-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Reel | SMD/SMT | 2500 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1125 mW | ||||
NE5517N | Транскондуктивные усилители Transconductance | datasheet | ON Semiconductor | 2 | PDIP-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | Through Hole | 25 | 2 MHz | 2.6 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | ||||
NE5517NG | Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp | datasheet | ON Semiconductor | 2 | PDIP-16 | 5 mV | 44 V | + 70 C | 0 C | Tube | Through Hole | 25 | 4 mA | Positive Rail - 3 V | 80 dB | 1500 mW | ||||
NJM#13600M-TE1 | Транскондуктивные усилители Dual | NJR | 2 | DMP-16 | 5 mV | 36 V | + 85 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2000 | 2.6 mA | 80 dB | 700 mW | ||||||
NJM#13600M-TE2 | Транскондуктивные усилители Dual | NJR | 2 | DMP-16 | 5 mV | 36 V | + 85 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2000 | 2.6 mA | 80 dB | 700 mW | ||||||
NJM#13700BD | Транскондуктивные усилители Dual | NJR | DIP-16 | Through Hole | 25 | |||||||||||||||
NJM#13700M-TE1 | Транскондуктивные усилители Dual | NJR | 2 | DMP-16 | 4 mV | 36 V | + 85 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2000 | Amplifier | 2.6 mA | 80 dB | 700 mW | |||||
NJM#13700M-TE2 | Транскондуктивные усилители Dual | NJR | 2 | DMP-16 | 4 mV | 36 V | + 85 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2000 | Amplifier | 2.6 mA | 80 dB | 700 mW | |||||
NJM13600M-T1 | Транскондуктивные усилители Dual | datasheet | NJR | |||||||||||||||||
NJM13600M-TE1 | Транскондуктивные усилители Dual | datasheet | NJR | 2 | DMP-16 | 5 mV | 36 V | + 85 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2000 | Amplifier | 0.1 MHz | 2.6 mA | 80 dB | 700 mW | |||
NJM13600M-TE2 | Транскондуктивные усилители Dual | datasheet | NJR | 2 | DMP-16 | 5 mV | 36 V | + 85 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2000 | Amplifier | 0.1 MHz | 2.6 mA | 80 dB | 700 mW | |||
NJM13700M-T1 | Транскондуктивные усилители Dual | datasheet | NJR | |||||||||||||||||
NJM13700M-TE1 | Транскондуктивные усилители Dual | datasheet | NJR | 2 | DMP-16 | 4 mV | 36 V | + 85 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2000 | Amplifier | 0.1 MHz | 2.6 mA | 80 dB | 700 mW | |||
NJM13700M-TE2 | Транскондуктивные усилители Dual | NJR | 2 | DMP-16 | 4 mV | 36 V | + 85 C | - 40 C | Reel | SMD/SMT | 2000 | Amplifier | 0.1 MHz | 2.6 mA | 80 dB | 700 mW | ||||
OPA615ID | Транскондуктивные усилители Wide Bandwidth DC Restoration Circuit | datasheet | Texas Instruments | 1 | SOIC-14 | 40 mV at +/- 5 V | +/- 5 V | + 85 C | - 40 C | Tube | SMD/SMT | 50 | Wideband Amplifier | |||||||
OPA615IDG4 | Транскондуктивные усилители Wide Bandwidth DC Restoration Circuit | datasheet | Texas Instruments | 1 | SOIC-14 | 40 mV at +/- 5 V | +/- 5 V | + 85 C | - 40 C | Tube | SMD/SMT | 50 | Wideband Amplifier |
Страница 1 из 2