Витал Электроникс

поставки электронных компонентов широкой номенклатуры,
системы RFID, IT услуги

Санкт-Петербург

+7(812) 325-97-92

Искать в текстах Искать по складам
компоненты на складе Отправить запрос
Каталог / Интегральные схемы / ИС для управления питанием / Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности / IXFK360N15T2

IXFK360N15T2

заказать
запросить условия поставки

Категория: Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности

Производитель: Ixys

Описание: Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Документация: datasheet

RoHS:

Параметры IXFK360N15T2:

ПродуктMOSFET Gate Drivers
ТипGigaMOS Trench T2 HiperFet
Время нарастания170 ns
Время спада265 ns
Ток питания100 A
Максимальное рассеяние мощности1670 W
Вид монтажаThrough Hole
КорпусTO-264
УпаковкаTube
Максимальное время задержки выключения115 ns
Максимальное время задержки включения50 ns
Выходной ток360 A
Выходное напряжение150 V
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество драйверовSingle
Количество выходов1
Коммерческое обозначениеTrenchT2 GigaMOS