Санкт-Петербург
+7(812) 325-97-92
| Наименование | Изображение | Описание | Документация | Производитель | RoHS | Максимальное рассеяние мощности | Корпус | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время спада | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Упаковка | Продукт | Время нарастания | Размер фабричной упаковки | Длина волны | Максимальный темновой ток | Тип |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BPW36 | Фототранзисторы 6mA IR PHOTO TRAN | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 500 | 100 nA | Photo Transistor | |||||||||
BPW36_Q | Фототранзисторы 6mA IR PHOTO TRAN | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 100 nA | Chip | |||||||||||
BPW37 | Фототранзисторы 3mA IR PHOTO TRAN | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | 100 nA | Chip | ||||||||||||
BPW38 | Фототранзисторы 3mA IR PHOTO DARL | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | 250 us | + 125 C | - 65 C | Bulk | 300 us | 500 | 100 nA | Photodarlington | |||||||
BPW38_Q | Фототранзисторы 3mA IR PHOTO DARL | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | 250 us | + 125 C | - 65 C | Bulk | 300 us | 100 nA | Chip | |||||||||
KDT00030TR | Фототранзисторы Plastic Silicon Phototransistor | datasheet | Fairchild Semiconductor | ![]() | SMD | 60 V | 4.6 V | + 85 C | - 40 C | Reel | Phototransistors | 3000 | 630 nm | 0.1 uA | Chip | |||||
L14C1 | Фототранзисторы 1mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | 45 V | + 125 C | - 65 C | Bulk | 500 | 100 nA | Phototransistor | ||||||||
L14C1_Q | Фототранзисторы 1mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 100 nA | Chip | |||||||||||
L14C2 | Фототранзисторы 0.5mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 500 | 100 nA | Phototransistor | |||||||||
L14C2_Q | Фототранзисторы 0.5mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 100 nA | Chip | |||||||||||
L14F1 | Фототранзисторы 3mA PHOTO DARL | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | 250 us | + 125 C | - 65 C | Bulk | 300 us | 500 | 100 nA | Photodarlington | |||||||
L14F1_Q | Фототранзисторы 3mA PHOTO DARL | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | 250 us | + 125 C | - 65 C | Bulk | 300 us | 100 nA | Chip | |||||||||
L14F2 | Фототранзисторы 1mA PHOTO DARL | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | 250 us | + 125 C | - 65 C | Bulk | 300 us | 500 | 100 nA | Photodarlington | |||||||
L14F2_Q | Фототранзисторы 1mA PHOTO DARL | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | 250 us | + 125 C | - 65 C | Bulk | 300 us | 100 nA | Chip | |||||||||
L14G1 | Фототранзисторы 6mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | 45 V | + 125 C | - 65 C | Bulk | 500 | 100 nA | Phototransistor | ||||||||
L14G1_Q | Фототранзисторы 6mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 100 nA | Chip | |||||||||||
L14G2 | Фототранзисторы 3mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 500 | 100 nA | Phototransistor | |||||||||
L14G2_Q | Фототранзисторы 3mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 100 nA | Chip | |||||||||||
L14G3 | Фототранзисторы 12mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 500 | 100 nA | Phototransistor | |||||||||
L14G3_Q | Фототранзисторы 12mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | + 125 C | - 65 C | Bulk | 100 nA | Chip | |||||||||||
L14LOB | Фототранзисторы DISC BY MFG 2/02 | Fairchild Semiconductor | ||||||||||||||||||
L14LOI | Фототранзисторы DISC BY MFG 3/02 | Fairchild Semiconductor | ||||||||||||||||||
L14LTB | Фототранзисторы DISC BY MOUSER 10/01 | Fairchild Semiconductor | ||||||||||||||||||
L14N1 | Фототранзисторы 3mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | ![]() | 600 mW | TO-18 | 16 us | + 125 C | - 65 C | Bulk | 14 us | 500 | 100 nA | Photo Transistor | |||||||
L14N1_Q | Фототранзисторы 3mA PHOTO TRANS | Fairchild Semiconductor | 600 mW | TO-18 | 16 us | + 125 C | - 65 C | Bulk | 14 us | 100 nA | Chip |
Страница 1 из 4