Q65110A1209 | |
| | заказать
запросить условия поставкиКатегория: Фотодиоды Производитель: OSRAM Opto Semiconductors Описание: Фотодиоды Документация: datasheet |
Параметры Q65110A1209: |
| Продукт | PIN Photodiodes | | Обратное напряжение | 32 V | | Пиковая длина волны | 850 nm | | Время нарастания | 20 ns | | Угол половинной интенсивности | 60 deg | | Корпус | DIL-SMT-2 | | Темновой ток | 2 nA | | Максимальная рабочая температура | + 100 C | | Минимальная рабочая температура | - 40 C | | Вид монтажа | SMD/SMT | | Эквивалентная мощность шума (NEP) | 4.1E-14 W/sqrt Hz | | Фототок | 80 uA | | Чувствительность | 0.62 A/W | | Максимальный темновой ток | 30 nA | | Время спада | 20 ns | | Рассеяние мощности | 150 mW |
|