Санкт-Петербург
+7(812) 325-97-92
Наименование | Изображение | Описание | Документация | Производитель | RoHS | Продукт | Обратное напряжение | Пиковая длина волны | Время нарастания | Угол половинной интенсивности | Корпус | Темновой ток | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Вид монтажа | Эквивалентная мощность шума (NEP) | Упаковка | Фототок | Чувствительность | Размер фабричной упаковки | Максимальный темновой ток | Время спада | Рассеяние мощности |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Q62702P0027 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 20 V | 850 nm | 12 ns | 40 deg | TO-18 | 1 nA | + 125 C | - 40 C | Through Hole | 3.3E-14 W/sqrt Hz | 10 uA | 0.55 A/W | 5 nA | 12 ns | 250 mW | ||||
Q62702P1051 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 20 V | 900 nm | 20 ns | 60 deg | TO-92 | 2 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | 3.6E-14 W/sqrt Hz | Reel | 34 uA | 0.63 A/W | 30 nA | 20 ns | 150 mW | |||
Q62702P1671 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 20 V | 900 nm | 5 ns | 10 deg | T-1 3/4 | 1 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | 2.9E-14 W/sqrt Hz | Reel | 90 uA | 0.59 A/W | 5 nA | 5 ns | 150 mW | |||
Q65110A1202 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 50 V | 900 nm | 5 ns | 15 deg | SMR-2 | 0.1 nA | + 85 C | - 40 C | SMD/SMT | 2.9E-14 W/sqrt Hz | Reel | 70 uA | 5 nA | 5 ns | 100 mW | ||||
Q65110A1203 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 50 V | 850 nm | 5 ns | 15 deg | SMR-2 | 0.1 nA | + 85 C | - 40 C | Through Hole | 2.9E-14 W/sqrt Hz | Reel | 100 uA | 5 nA | 5 ns | 100 mW | ||||
Q65110A1204 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 50 V | 900 nm | 5 ns | 15 deg | SMR-2 | 0.1 nA | + 85 C | - 40 C | Through Hole | 2.9E-14 W/sqrt Hz | Reel | 70 uA | 5 nA | 5 ns | 100 mW | ||||
Q65110A1209 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 32 V | 850 nm | 20 ns | 60 deg | DIL-SMT-2 | 2 nA | + 100 C | - 40 C | SMD/SMT | 4.1E-14 W/sqrt Hz | 80 uA | 0.62 A/W | 30 nA | 20 ns | 150 mW | ||||
Q65110A2625 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 32 V | 850 nm | 25 ns | 60 deg | DIL-SMT-2 | 2 nA | + 85 C | - 40 C | SMD/SMT | 13E-14 W/sqrt Hz | 0.2 A/W | 30 nA | 25 ns | 150 mW | |||||
Q65110A2628 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 20 V | 850 nm | 5 ns | 60 deg | DIL-SMT-3 | 1 nA | + 100 C | - 40 C | SMD/SMT | 3.3E-14 W/sqrt Hz | Reel | 10 uA | 5 nA | 5 ns | 120 mW | ||||
Q65110A2638 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 20 V | 900 nm | 5 ns | 60 deg | DIL-SMT-3 | 1 nA | + 100 C | - 40 C | SMD/SMT | 3.3E-14 W/sqrt Hz | Reel | 6.2 uA | 5 nA | 5 ns | 120 mW | ||||
Q65110A2960 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 15 V | 820 nm | 2 ns | 60 deg | 3216 | 0.05 nA | + 85 C | - 40 C | SMD/SMT | 0.63E-14 W/sqrt Hz | 1.4 uA | 0.5 A/W | 5 nA | 2 ns | |||||
Q65110A3121 | Фотодиоды | datasheet | OSRAM Opto Semiconductors | PIN Photodiodes | 16 V | 880 nm | 20 ns | 60 deg | DIL-SMT-2 | 2 nA | + 100 C | - 40 C | SMD/SMT | 3.9E-14 W/sqrt Hz | 50 uA | 0.65 A/W | 30 nA | 20 ns | 150 mW | ||||
QP1-6-T052 | Фотодиоды 1mm sqd. Quad PIN dectector Photodiode | datasheet | Pacific Silicon Sensor | Quad PIN Photodiodes | 50 V | 900 nm | 2000 ns | TO-52 | 0.1 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | 9E-15 W/sqrt Hz | 0.64 A/W | |||||||||
QP10-6-TO5 | Фотодиоды 10mm sqd. Quad PIN dectector Photodiode | datasheet | Pacific Silicon Sensor | PIN Photodiodes | 50 V | 900 nm | 2000 ns | TO-5 | 0.4 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | 1.8E-14 W/sqrt Hz | 0.64 A/W | |||||||||
QP100-6-SM | Фотодиоды Quadrant 11.2mm Dia Area with 42um Gaps | datasheet | Pacific Silicon Sensor | Quad Photodiodes | 50 V | 633 nm | 50 ns | SMD-10 | 5 nA | + 60 C | - 15 C | SMD/SMT | Bulk | 10 uA | 0.4 A/W | 25 | 5 nA | ||||||
QP20-6-TO8S | Фотодиоды 20mm sqd. PIN dect quad PIN photodiode | datasheet | Pacific Silicon Sensor | PIN Photodiodes | 20 V | 900 nm | 2000 ns | TO-8S | 1 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | 2.8E-14 W/sqrt Hz | 0.64 A/W | 1 nA | ||||||||
QP20-6-TO8S-FW | Фотодиоды 5mm sqd. Quad PIN dectector Photodiode | datasheet | Pacific Silicon Sensor | PIN Photodiodes | 20 V | 900 nm | 2000 ns | TO-8S | 1 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | 2.8E-14 W/sqrt Hz | 0.64 A/W | 1 nA | ||||||||
QP5-6-TO5 | Фотодиоды 5mm sqd. Quad PIN dectector Photodiode | datasheet | Pacific Silicon Sensor | PIN Photodiodes | 50 V | 900 nm | 2000 ns | TO-5 | 0.2 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | 1.3E-14 W/sqrt Hz | 0.64 A/W | |||||||||
QP5.6-TO5 | Фотодиоды 5.8mm sqd. Quad PIN dectector Photodiode | datasheet | Pacific Silicon Sensor | PIN Photodiodes | 50 V | 900 nm | 2000 ns | TO-5 | 0.4 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | 1.8E-14 W/sqrt Hz | 0.64 A/W | |||||||||
QP5.8-6-TO5 | Фотодиоды Quadrant 1.19x1.19mm Area with 0.50mm Gap | datasheet | Pacific Silicon Sensor | Quad Photodiodes | 50 V | 633 nm | 20 ns | TO-5 | 0.4 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | Bulk | 10 uA | 0.4 A/W | 100 | 0.4 nA | ||||||
QP50(18U)-6-SM | Фотодиоды Quadrant 7.8mm Dia Area with 18Um Gaps | datasheet | Pacific Silicon Sensor | Quad Photodiodes | 50 V | 633 nm | 40 ns | SMD-10 | 2 nA | + 60 C | - 15 C | SMD/SMT | Bulk | 10 uA | 0.4 A/W | ||||||||
QP50(18U)-6-TO8 | Фотодиоды Quadrant 1.19x1.19mm Area w/0.018mm Gap | datasheet | Pacific Silicon Sensor | Quad Photodiodes | 50 V | 633 nm | 40 ns | TO-8 | 2 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | Bulk | 10 uA | 0.4 A/W | ||||||||
QP50-6-18U-SM | Фотодиоды Quadrant 7.8mm Dia Area with 18Um Gaps | datasheet | Pacific Silicon Sensor | Quad Photodiodes | 50 V | 633 nm | 40 ns | SMD-10 | 2 nA | + 60 C | - 15 C | SMD/SMT | Bulk | 10 uA | 0.4 A/W | 25 | 5 nA | ||||||
QP50-6-18U-TO8 | Фотодиоды Quadrant 7.98 Area w/0.018mm Gap | datasheet | Pacific Silicon Sensor | Quad Photodiodes | 50 V | 633 nm | 40 ns | TO-8 | 2 nA | + 100 C | - 40 C | Through Hole | Bulk | 10 uA | 0.4 A/W | 50 | 5 nA | ||||||
QP50-6-SM | Фотодиоды Quadrant 7.8mm Dia Area with 42um Gaps | datasheet | Pacific Silicon Sensor | Quad Photodiodes | 50 V | 850 nm | 40 ns | SMD-10 | 2 nA | + 60 C | - 15 C | SMD/SMT | Bulk | 10 uA | 0.64 A/W | 25 | 2 nA |
Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 Вперед
Страница 12 из 16