Vishay Intertechnology Inc. разработала новые MOSFET транзисторы
Компания Vishay представила новые MOSFET транзисторы, обладающие наименьшим в отрасли сопротивлением открытого канала.
Новинки получили названия SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN. Эти 30В транзисторы изготавливаются по запатентованной технологии TrenchFET® Gen IV. Новинки обладают небольшими размерами, а так же низким сопротивлением канала (1.35 мОм) и невысоким зарядом Миллера (до 1.8 нКл).
Структура транзисторов позволяет разработчикам современных электронных устройств, решить ряд сложных задач. Транзисторы SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN не только занимают мало места на плате, но и благодаря своим свойствам, помогают достичь наименьшей потери проводимости, уменьшить рассеиваемую мощность и в целом, значительно повысить эффективность разрабатываемых устройств. Новинки имеют отношение зарядов QGD/QGS - 0.5 и меньше, что уменьшает влияние эффекта Миллера.
Все выпускаемые по технологии TrenchFET Gen IV® новинки, проходят 100-процентный выходной контроль параметров RG и UIS. По содержанию вредных веществ и галогенов все транзисторы соответствуют предписаниям директив RoHS и IEC 61249-2-21.
В линейку новых MOSFET транзисторов, вошли следующие модели:
- SiRA00DP
- SiRA00DP
- SiRA04DP
- SiSA04DN
Транзисторы выпускаются в корпусах PowerPAK SO-8 и PowerPAK 1212-8, диапазон рабочих температур от - 55 °С до + 150 °C.
Область применения:
- Импульсные источники питания
- Модули регулирования напряжения
- Системы распределенного питания
- Блоки телекоммуникационного оборудования
- Персональные компьютеры
- Серверы
- DC/DC преобразователи
- Синхронные выпрямители
- Синхронные понижающие преобразователи
- Схемы резервирования питания
Характеристики:
- Сопротивление открытого канала: 1.35 мОм
- Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C
- Температура хранения: от –55° до +150°С
- Корпус: PowerPAK SO-8 и PowerPAK 1212-8
- Размер: 6.15 × 5.15 мм и 3.30 × 3.30 мм
- RoHS
Источник
DataSheet SiRA00DP
DataSheet SiRA02DP
DataSheet SiRA04DP
DataSheet SiSA04DN
- 28.05.2012
Компания Vishay Intertechnology объявила о выпуске совершенно новой линейки тонкопленочных чип резисторов, которая отличается значительным улучшением термического коэффициента сопротивления и допустимых отклонений по сравнению с предыдущими поколениями резисторов
Компания Vishay объявила о выпуске компактных температурных датчиков для поверхностного монтажа
Компания Vishay объявила о выпуске компактных PIN фотодиодов с большой фоточувствительностью
Компания Vishay объявила о скором выпуске новых 500 вольтовых MOSFET - SiHG25N50E, SiHP25N50E и SiHA25N50E
Компания Vishay объявила о выпуске сдвоенных 20ти вольтовых транзисторов, отличающихся миниатюрными размерами и минимальным сопротивлением канала
Новые термопредохранители способны работать без разрыва цепи под током 55 А при температуре +160 °C более 1000 часов
Компания Vishay расширяет линейку прецизионных тонкопленочных чип-резисторов новыми резисторами с сопротивлением до 1 Ом.
Компания Vishay представила новые MOSFET транзисторы, обладающие наименьшим в отрасли сопротивлением открытого канала.
Компания Vishay представила очередные мощные транзисторы обладающие самым малым в отрасли сопротивлением открытого канала.
Интегральные схемы (1700)
Vishay (26)
- Аттенюаторы - ИС (1)
- Интерфейсные ИС (2)
- ИС для управления питанием (3)
- Коммутационные ИС (16)
- Оптопары / оптроны (4)
Vishay Semiconductors (1667)
- ИС для усилителей (3)
- Коммутационные ИС (136)
- Оптопары / оптроны (1528)
Vishay/Sfernice (7)