Витал Электроникс

поставки электронных компонентов широкой номенклатуры,
системы RFID, IT услуги

Санкт-Петербург

+7(812) 325-97-92

Москва

+7(495) 664-31-14

Новинка от компании Infineon – расширение семейства биполярных транзисторов с изолированным затвором

Компания Infineon Technologies объявила о выпуске новинок в среде 650-вольтовых IGBT, изготавливаемых по технологии TRENCHSTOP™5.

Семейство IGBT, изготавливаемое на тонких пластинах по технологии TRENCHSTOP™5 пополнили новые транзисторы с допустимым током до 40 А и напряжением до 650 В. Новинки облачены корпуса для поверхностного монтажа TO-263-3 или D2PAK.

Биполярные транзисторы нового поколения созданы для удовлетворения быстрорастущего спроса на силовые устройства повышенной мощности и высокой эффективности, предназначенные для автоматизированной установки. Подобные устройства могут использоваться в солнечных инверторах, источниках бесперебойного питания, зарядных устройствах и различных аккумуляторах энергии.

Благодаря технологии TRENCHSTOP™ основанной на ультратонких подложках достигается увеличение плотности мощности, при одновременном сокращении размеров кристалла. Infineon Technologies стала первой компанией, которой удалось объединить 40 амперный 650 вольтовый IGBT с 40 амперным диодом в одном корпусе D2PAK.

Новинка позволяет разработчикам модернизировать существующие разработки для увеличения выходной мощности до 25%, или уменьшить размеры новых устройств, благодаря исключению лишних транзисторов, включенных параллельно.

Источник