AD1100-8-TO52-S1

Описание: Фотодиоды High Speed Si APD 130um Active Area

Документация: datasheet

RoHS:

Продукт	Avalanche Photodiodes
Обратное напряжение	90 V
Пиковая длина волны	800 nm
Время нарастания	1 ns
Угол половинной интенсивности	92 deg
Корпус	TO-52-S1
Темновой ток	4 nA
Максимальная рабочая температура	+ 100 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Вид монтажа	Through Hole
Эквивалентная мощность шума (NEP)	8E-14 W/sqrt Hz
Упаковка	Bulk
Фототок	1 uA
Чувствительность	50 A/W
Размер фабричной упаковки	20
Максимальный темновой ток	10 nA
Рассеяние мощности	100 mW